Navitas ฟ้อง Renesas ซ้ำคดีละเมิดสิทธิบัตร GaN ครั้งที่สอง

Navitas Semiconductor (NVTS) ยื่นฟ้อง Renesas Electronics ในศาลแขวงสหรัฐฯ ฝ่ายตะวันออกของเท็กซัส เมื่อวันพฤหัสบดี กล่าวหาละเมิดสิทธิบัตร 6 ข้อหาเกี่ยวกับทรานซิสเตอร์ gallium nitride (GaN) ตามข่าวประชาสัมพันธ์ที่ Semiconductor Today และ Investing.com รายงาน

คดีนี้เป้าหมายผลิตภัณฑ์ TP65H020G4PLSGBD 650V SuperGaN GaN FET ของ Renesas ที่ประกาศเมื่อ 30 กันยายน 2026 โดยกล่าวหาว่าละเมิดสิทธิบัตร Navitas 4 ฉบับ (U.S. Patent Nos. 9,929,079; 11,545,838; 11,770,010; และ 11,862,996) และตระกูล REXGaN ทรานซิสเตอร์ GaN 100V enhancement-mode ที่เปิดตัว 6 ตุลาคม 2026 กล่าวหา 2 ฉบับ (U.S. Patent Nos. 9,613,891 และ 10,269,687)

Navitas ยื่นฟ้อง Renesas ครั้งแรกเมื่อ 10 สิงหาคม 2026 กล่าวหาผลิตภัณฑ์ SuperGaN ละเมิดสิทธิบัตร GaN ของบริษัท ทั้งสองคดียังอยู่ระหว่างพิจารณา Navitas ระบุว่าการฟ้องร้องที่ดำเนินอยู่ไม่ได้ยับยั้ง Renesas จากการละเมิดที่ถูกกล่าวหาเพิ่มเติม

Siddarth Sundaresan รองประธานอาวุโสและ CTO ของ Navitas กล่าวว่าบริษัทเป็นผู้บุกเบิก GaN ยุคแรกที่บุกเบิกนำเทคโนโลยี GaN สู่การผลิตขนาดใหญ่ และคู่แข่งที่เพิกเฉยต่อสิทธิในทรัพย์สินทางปัญญาอย่างโจ่งแจ้งจะไม่ถูกปล่อยผ่าน

Navitas ระบุว่าถือสิทธิบัตรมากกว่า 450 ฉบับที่ออกหรืออยู่ระหว่างพิจารณา และก่อตั้งในปี 2014 พัฒนาเทคโนโลยี GaN, silicon carbide และ integrated voltage regulator Renesas เป็นบริษัทในโตเกียว

หุ้น NVTS ลดลง 5.4% ในการซื้อขายล่าช้า อยู่ที่ 9.04 ดอลลาร์

TP65H020G4PLSGBD เป็นอุปกรณ์ 650V, 20 มิลลิโอห์ม (โดยทั่วไป) ในแพ็กเกจ dual-side-cooled PQFN 8x8 สำหรับเครื่องแปลง DC-DC ศูนย์ข้อมูล 800V ตาม Navitas ตามหลังบอร์ดจ่ายไฟ 800V-to-6V ของบริษัทที่ประกาศที่ NVIDIA GTC มีนาคม 2026

สิ่งที่ยังไม่ทราบ: ผลของทั้งสองคดี และว่าคู่กรณีจะไกล่เกลี่ยหรือไม่